IGBT транзистор по технологии trench gate field-stop, 1200 В, 15 А
STGWA15M120DF3 – устройство от компании STMicroelectronics представляет собой IGBT, разработанный с использованием структуры trench gate field-stop
Устройство является частью IGBT транзисторов М-серии, представляющие оптимальный компромисс в производительности для максимизации эффективности инверторных систем, где важны низкие потери и возможность короткого замыкания. Кроме того, положительный температурный коэффициент VCE(SAT) и плотное распределение параметров обеспечивают более безопасное параллельное соединение.
Ключевые особенности:
- время выдержки короткого замыкания – 10 мкс;
- VCE = 1.85 В, IC = 15 А;
- безопасное параллельное соединение;
- низкое термическое сопротивление.